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- 2024-06-11 发布于北京
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3场效应晶体管及其放大电路
3.0概述
晶体管的主要特点
1.电流控制型器件。
2.输入电流大,输入电阻小。
3.两种极型的载流子都参与导电,又称为双极型晶
体管,简称BJT(BipolarJunctionTransistor)。
场效应管,简称FET(FieldEffectTransistor)。
场效应管的主要特点
(a)输入电阻高,可达107~1015。
(b)起导电作用的是多数(一种)载流子,又称为单极
型晶体管。
(c)体积小、重量轻、耗电省、长。
(d)噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺
简单。
(e)在大规模制造中得到了广泛的应用。
场效应管的类型
场效应管按结构可分为
1.结型场效应管,简称JFET(JunctionFieldEffect
Transistor)。
2.绝缘栅型场效应管,简称IGFET(IsolatedGate
FieldEffectTransistor)。
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