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  • 2024-06-11 发布于北京
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3场效应晶体管及其放大电路

3.0概述

晶体管的主要特点

1.电流控制型器件。

2.输入电流大,输入电阻小。

3.两种极型的载流子都参与导电,又称为双极型晶

体管,简称BJT(BipolarJunctionTransistor)。

场效应管,简称FET(FieldEffectTransistor)。

场效应管的主要特点

(a)输入电阻高,可达107~1015。

(b)起导电作用的是多数(一种)载流子,又称为单极

型晶体管。

(c)体积小、重量轻、耗电省、长。

(d)噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺

简单。

(e)在大规模制造中得到了广泛的应用。

场效应管的类型

场效应管按结构可分为

1.结型场效应管,简称JFET(JunctionFieldEffect

Transistor)。

2.绝缘栅型场效应管,简称IGFET(IsolatedGate

FieldEffectTransistor)。

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