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光为绿色新能源有限公司
硅片检查标准
编号：LW-BZ-009-A1
版本：A/1版
受控状态：
编制部门：技术中心
发放编号：
编制：日期：
审核： 日期：
批准：日期：
发布日期：实行日期：
文献更改申请单
编号：LW-CX-001-A1-03
文献名称
硅片检查标准
文献编号
LW-BZ-009-A1
申请部门
铸切技术部
申请人
王伟
批准人
批准日期
更改因素：
1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间鉴定标准
2、变更硅片尺寸范围
3、增长硅片表面洁净度规定
4、修改崩边规定
更改前内容及条款
无
156-156.7
无
B片中崩边规定为：length≤1.5mm；width≤0.5mm个数不限
更改后内容及条款
增长硅片黑色带状区域规定
155.8-156.7
增长表面玷污定义
B片中崩边规定为：length≤1.5mm；width≤0.5mm，每片不得超过4处
硅片检查标准
1目的
规范多晶硅片检测标准。
2合用范围
本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检查项目、测量器具、鉴定依据，合用于正常生产的多晶硅片的质量检查。
3定义
3.1检测工具：
数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2023。
3.2检测术语
斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周边颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处在参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边沿为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充足烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边沿5mm以内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4职责权限
4.1技术部负责制定硅片检查标准；
4.2质量部严格按照本文献中检查标准检查硅片。
5正文
5.1表面质量
表面质量通过生产人员的分选鉴定，目测外观符合附表1相关规定。对整包硅片重点查看B4（崩边），B7（线痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，运用分选机重新分选。
5.2外型尺寸
几何尺寸符合附表1相关规定，在研磨倒角处控制。如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检查。
5.3电性能
依据硅锭／硅块测试数据鉴定，必要时用相关测试仪器核算。硅片电阻率测量一点数值，当超过B级范围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值X，以X值作为最终鉴定值。
5.4抽检方法
（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采用一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于0.5%。每次抽检不合格率大于0.5%时，告知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。
（2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的鉴定依据。
6相关文献
无
7相关记录
无
附表1：自检硅片检查项目及鉴定标准
检查标准
检查项目
A级品
B级品
电性能指标
Resistivity电阻率（Ω·cm）
0.7≤ρ≤3
CarrierLifetime
少子寿命(μs)
≥1.2
Oxygenconcentration
氧含量（atoms/cm3）
≤1.0*1018
Carbonconcentration
碳含量（atoms/cm3）
≤8*1017
外形尺寸及外观
Geometry几何形状
正方形
Thickness厚度（μm）
180±20
TTV（μm）
TTV≤30
30＜TTV≤50
Size尺寸（mm）
155.8≤size≤156.7
Diagonal对角线（mm）
218.8-220.6
Rectangularangle角度（o）
90±0.3
Chamferangel倒角（o）
45±10
Chamferwide倒角宽度（mm）
0.5≤wide≤2.5
Chip崩边（宽度*延伸深度）（mm）
不允许
length≤1.5mm；width≤0.5mm
每片不得超过4处
Breakage缺口（mm2）
不允许
0.2*0.2
Sawmark锯痕（μm）
Sawmark≤15
15＜Sawmark≤35
Warp翘曲度（μm）
Warp≤50
5
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