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TMBT3904
TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType
TMBT3904
AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications
Highvoltageandhighcurrent
:VCEO=50V,IC=200mA(max)
ComplementarytoTMBT3906
东芝代理、大量现货：QQ990123167
AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C)
CharacteristicsSymbolRatingUnit
Collector-basevoltageVCBO60V
Collector-emittervoltageVCEO50V
Emitter-basevoltageVEBO5V1.Base
CollectorcurrentIC200mA2.Emitter
3.Collector
BasecurrentIB30mA
PC(Note1)320mW
CollectorpowerdissipationSOT23
PC(Note2)1000mW
JunctiontemperatureTj150°C
StoragetemperaturerangeTstg−55to150°C
Note:Usingcontinuouslyunderheavyloads(e.g.theapplicationofhightemperature/current/voltageandthesignificant
changeintemperature,etc.)maycausethisproducttodecreaseinthereliabilitysignificantlyeveniftheoperating
conditions(i.e.operatingtemperature/current
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