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TPHR9003NL
MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS-H)
TPHR9003NL
TPHR9003NL
TPHR9003NL
TPHR9003NL
1.Applications
1.Applications
1.1.ApplicationsApplications
•SwitchingVoltageRegulators
•DC-DCConverters
2.Features
2.Features
2.2.FeaturesFeatures
(1)High-speedswitching
(2)Smallgatecharge:QSW=16nC(typ.)
(3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.1mΩ(typ.)(VGS=4.5V)
(4)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V)
(5)Enhancementmode:Vth=1.3to2.3V(VDS=10V,ID=1.0mA)
3.PackagingandInternalCircuit
3.PackagingandInternalCircuit
3.3.PackagingandInternalCircuitPackagingandInternalCircuit
东芝代理,大量现货:QQ990123167
1,2,3:Source
4:Gate
5,6,7,8:Drain
SOPAdvance
1,2,3:Source
4:Gate
5,6,7,8:Drain
SOPAdvance(N)
Thepackagecanbeselectedaccordingtoyourpreference.Fordetails,pleasecontactyourTOSHIBAsales
representative.
Startofcommercialproduction
2013-10
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