Toshiba东芝产品规格书TPHR9003NL_datasheet_en_10.pdf

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TPHR9003NL

MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

TPHR9003NL

TPHR9003NL

TPHR9003NL

TPHR9003NL

1.Applications

1.Applications

1.1.ApplicationsApplications

•SwitchingVoltageRegulators

•DC-DCConverters

2.Features

2.Features

2.2.FeaturesFeatures

(1)High-speedswitching

(2)Smallgatecharge:QSW=16nC(typ.)

(3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.1mΩ(typ.)(VGS=4.5V)

(4)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V)

(5)Enhancementmode:Vth=1.3to2.3V(VDS=10V,ID=1.0mA)

3.PackagingandInternalCircuit

3.PackagingandInternalCircuit

3.3.PackagingandInternalCircuitPackagingandInternalCircuit

东芝代理,大量现货:QQ990123167

1,2,3:Source

4:Gate

5,6,7,8:Drain

SOPAdvance

1,2,3:Source

4:Gate

5,6,7,8:Drain

SOPAdvance(N)

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representative.

Startofcommercialproduction

2013-10

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