GB_T 14264-2024 半导体材料术语(OCR).pdf

ICS29.045

CCSH80

半导体材料术语

2024-04-25发布

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

目次

前言……………………Ⅲ

1范围…………………1

2规范性引用文件………………………1

3一般术语……………1

4材料制备与工艺…………………33

5缺陷…………………38

6缩略语和简称…………………47

索引……………………50

I

前言

起草。

辑性改动外，主要技术变化如下：

——增加了“宽禁带半导体”等261项术语及其定义(见第3章~第5章);

———删除了“脊形崩边”等64项术语及其定义(见2009年版的第3章);

——更改了“化合物半导体”等62项术语及其定义(见第3章~第5章，2009年版的第3章)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京大学

东莞光电研究院、南京国盛电子有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、青海黄河上游水电开发有

限责任公司新能源分公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、有研国晶辉新材料有限公司、浙江中

晶科技股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、中环领先半导体材料有限公司、新特能源股份

有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研

究所、四川永祥股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、浙江海纳半

导体股份有限公司、常州时创能源股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、中国科学院半导体

研究所。

本文件主要起草人：孙燕、贺东江、李素青、宁永铎、丁晓民、朱晓彤、骆红、普世坤、秦榕、杭寅、郑安生、

宫龙飞、程凤伶、黄笑容、李国鹏、金鹏、王彬、张雪囡、邱艳梅、刘文明、尹东林、孙聂枫、李寿琴、崔丁方、

史舸、潘金平、殷淑仪、由佰玲。

本文件于1993年首次发布，2009年第一次修订，本次为第二次修订。

Ⅲ

半导体材料术语

1范围

本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。

本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3一般术语

3.1

半导体semiconductor

和带负电的电子两种载流子参加导电，并具有负的电阻温度系数以及光电导效应、整流效应的固体

物质。

注；半导体按其结构分为单晶体、多晶体和非晶体。

3.2

本征半导体intrinsicsemiconductor

晶格完整且不含杂质，在热平衡条件下，其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等的理想半导体。

注；通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。

3.3

元素半导体elementalsemiconductor

由单一元素的原子组成的半导体材料。

注：如硅、锗、金刚石等。

3.4

化合物半导体compoundsemiconductor

由2种或2种以上不