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第二次回家作业赖建宏

TFT-LCD制作工艺

1.阵列工艺（Array）

2.彩膜工艺（Colorfilter）

3.成盒工艺（Cell）

4.模块工艺（Module）

1.阵列工艺（Array）

本工程负责完成阵列基板的生产，包括玻璃基板清洗、PECVD、溅射、光刻、刻蚀、剥离等工序。

阵列工程使用外购的专用玻璃基板，充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积（CVD）的方法形成半导体膜或隔离膜，通过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤岛、源漏电极及引线、接触通孔、像素电极经光刻胶涂敷、光刻胶曝光、显影等光刻工艺并经湿法刻蚀、干法刻蚀后，剥离掉多余的光刻胶，再经热处理把半导体特性作均一化处理后即做成阵列玻璃基板。

a.玻璃基板清洗

b.PECVD

PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)--等离子体增强化学气相沉积法

PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

c.溅射

以一定能量的粒子（离子或中性原子、分子）轰击固体表面，使固体近表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面的工艺。溅射只能在一定的真空状态下进行。

溅射工艺主要用于溅射刻蚀和薄膜淀积两个方面。

溅射刻蚀时，被刻蚀的材料置于靶极位置，受氩离子的轰击进行刻蚀。刻蚀速率与靶极材料的溅射产额、离子流密度和溅射室的真空度等因素有关。溅射刻蚀时，应尽可能从溅射室中除去溅出的靶极原子。常用的方法是引入反应气体，使之与溅出的靶极原子反应生成挥发性气体，通过真空系统从溅射室中排出。

淀积薄膜时，溅射源置于靶极，受氩离子轰击后发生溅射。如果靶材是单质的，则在衬底上生成靶极物质的单质薄膜；若在溅射室内有意识地引入反应气体，使之与溅出的靶材原子发生化学反应而淀积于衬底，便可形成靶极材料的化合物薄膜。

d.光刻、刻蚀

常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。

①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。

②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。

2.彩膜工艺

彩色滤光片（ColorFilter）的结构包含玻璃基板、黑色矩阵、彩色层、保护膜及ITO导电膜，此光电组件是在透明玻璃基板上制作防反射的遮光层-黑色矩阵（Blackmatrix），洗净后再进行光阻的涂布，先涂布红色彩色光阻后，经曝光、显影、烘烤，形成红色滤光层，再依序制作形成具有透光性红、绿、蓝三原色的彩色滤光膜层，然后溅射镀上透明的ITO导电膜，最后进行PS层。

3.成盒工艺

本工程负责制屏工序，包括从PI涂敷、固化、液晶注入（ODF）、紫外固化、切割、磨边、测试等各工序的生产。

成盒过程是将阵列基板（阵列工程自制）和彩色滤光片（自制或外购）经清洗，表面涂敷取向膜、经固化处理，在阵列基板涂布封框胶及进行液晶散布，两基板在真空中粘合、固化，即成盒。再根据下游厂家的需求进行盒分割，再贴上偏光片，加入电信号作图像检查后即成为LCD面板（Panel）。

a.PI涂敷

PI涂敷就是将聚酰亚胺溶液均匀的涂布在基板的指定位置，然后预烘获得初步的固体膜：常用的方法有：旋转涂敷法，浸泡法，印刷法。

1.旋转涂敷法：将基板放置于转盘上，在玻璃上滴定配向材料，开动转盘高速转动，在离心力和液体表面张力的作用下就形成了一层很薄的均匀薄膜。因为膜层很薄，所以一般添加偶联剂以增加粘附强度。

2.浸泡法：是将待涂膜的玻璃基板浸入定向材料中，取出甩干后即可形成均匀的膜层。

3.印刷法：类似于凸版印刷法，将配向材料转印到基板玻璃上，为了保证印刷的均匀性，要求所用的凸版材料和定向材料溶液有很好的亲和性，并且凸版的每个凸块应有细小的突粒组成，这要可以依靠液体的表面张力获得均匀，平整的膜层。

b.液晶注入ODF

OneDropFill技