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集成电路设计方案习题答案章

CH1CH3

1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方

代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请法，并比较各自的优缺点。

说出是什么定律？意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及

晶体管-分立元件浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液

-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延

2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产生长

线集成电路设计的特点和环境。2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩

拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。

电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：P28,29

IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？

片设计作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件

3．多工程晶圆MPW）技术的特点是什么？对发展结构。曝光方式有接触与非接触两种。

集成电路设计有什么意义？4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术

MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到有什么优缺点？

一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个X射线X-ray）具有比可见光短得多的波长，

晶圆上。意义：降低成本。可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束扫描法，，

4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？由于高速电子的波长很短，分辨率很高

系统，电路，工具，工艺方面的知识5．说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂

方法，并比较其优缺点。

CH2热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离

1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂

重的作用?质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂

原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工

低廉业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子

2．GaAs和InP材料各有哪些特点?P10,11种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：

3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重

样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？破坏且难以恢复

接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂6．列出干法和湿法氧化法形成SiO的化学反应式。

2

半导体接触形成肖特基接触

干氧湿氧

4．说出多晶硅在C