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*****4hours**直流电压VIN上附加一个小信号的正弦信号vin(t)=Vmsinωt，如图5-3(a)所示，总的输出电压则变为vOUT=VOUT+vout，小信号输入电压vin=Vmsinωt将产生相应的小信号输出电压vout=AvVmsinωt，即vOUT=AVVIN+Avvin=VOUT+AvVmsinωt，**对于一般放大器而言，其通常是非线性的。一般对于输入信号幅度比较小的情况下，在输出电压的中段区域，几乎可以认为增益保持常数。如果能使放大器工作在这个区域，输入信号小的变化可以引起几乎是线性变化的输出，并且近似认为增益保持常数。可以通过将放大器偏置在一个直流电压（或电流）偏置下，此偏置被称为放大器的“静态工作点”，或简称“工作点”******当存在多个电容的情况下，通过采用s域分析方法直接求得电压传递函数A(s)，进而来确定低截止频率和通带电压增益的方法就会变得很困难。在这种情况下，低3dB截止频率fL的近似值可以通过“短路方法”（或者“短路时间常数法”）来求得。*****共漏极放大器采用一个内阻为Rs的信号源进行驱动，共漏极放大器驱动的负载统一用RL进行表示。在共漏极放大器中，需要考虑的晶体管M1寄生电容包括栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、栅极-衬底电容Cgb、源极-衬底电容Csb。*零点与器件的特征频率很接近，而极点的值比零点的值小一些，在s平面中，零点要更远离原点，如图所示。如果gmRL足够大并且Rs远远小于RL，那么极点也接近零点频率。如果Rs可以和RL相比拟，或者gmRL没有比1足够大，那么极点的值将明显小于特性频率。但不管怎样CD放大器的带宽还是比较大的。*如果考虑Cgd、Cgb和Csb的影响，共漏极放大器的s域传输函数将变得非常复杂。在这种情况下，可采用零值方法对共漏极放大器的频率响应来进行分析。*这两个极点也可以直接从节点相对应的关系得到。p1对应的是输入节点。p2对应的是输出节点。这种节点与极点之间的对应关系只有在节点之间是“孤立”的情况下才成立。这也提供了一种分析电路频率特性的手段。*Cascode结构减弱了miller效应*****当频率较低时，Cx相当于开路，M4直接镜像流经M3的电流,Gm=gmN；当频率很高时，Cx可以认为是短路，因此M4上流经的小信号电流为0，这样Gm=gmN/2。*****************************************************************Bodeplot中文译为“伯德图”“波特图”“波德图”，是描述频率响应的一种图示方法，用来描述幅频特性及相频特性的曲线图。借助伯德图可以用来分析放大器的频率特性及稳定性。伯德图根据零点和极点的情况表示一个复变函数的幅值和相位的渐进特性。*******注意到对于C1和C2的戴维南等效电阻分别为RC1=(Rs+ri)和RC2=(ro+RL)。相应的时间常数为τC1=C1RC1和τC2=C2RC2。一般情况，输入电阻ri通常比输出电阻ro高很多，因此fC2fC1，则低截止频率fL≈fC2。**正如在7.4.1节中讨论的，在高频时，可以通过采用s域分析方法直接求得直流耦合放大器的电压传递函数A(s)，进而来确定高截止频率和通带电压增益。可见通过这种方法得到的A(s)表达式比较复杂，传递函数中极点的分析也很困难，当存在更多电容的情况下，通过s域求电压传递函数的手工分析已变得不可能了。对于复杂电路，高3dB截止频率fH的近似值可以通过“零值方法”（或者“零值时间常数法”）来求得。其中τCj是仅由第j电容产生的时间常数，而RCj是呈现于Cj处的戴维南等效电阻。每一个拐点频率将把上一个低拐点频率推向左方，因此影响放大器的有效截止频率。*绪论*绪论*绪论*绪论*绪论*绪论*绪论*前面章节讨论的MOS器件的特性可以作为描述MOS器件的大信号模型的基本I/V特性公式二极管表示源极与衬底之间的pn结以及漏极与衬底之间的pn结。MOS晶体管正常工作时，这些二极管必须反偏或零偏。电阻rD和rS分别是漏极和源极的欧姆接触电阻，典型值为50欧姆到100欧姆量级。电容包括三类：第一类包括CBD和CBS，分别表现为漏区与衬底以及源区与衬底的反向偏置产生的耗尽区电容；第二类是与栅极有关的CGD、CGS和CGB，这些电容依赖于MOS晶体管的工作条件；第三类是独立于MOS管工作条件的寄生电容。绪论