《高纯铜铸锭》编制说明-送审稿.docx

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高纯铜铸锭编制说明

一、工作简况

1.1任务来源

根据工业和信息化部办公厅关于印发2023年第一批行业标准制修订和外文版项目计划的通知，工信厅科〔2023〕18号的文件精神，《高纯铜铸锭》由有研亿金新材料有限公司牵头修订，金川集团股份有限公司、有研亿金新材料（山东）有限公司、山东有研国晶辉新材料有限公司、兰州金川科技园有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、哈尔滨同创普润集团有限公司参与编写。项目计划编号（2023-0248T-YS），项目周期18个月，计划完成年限2024年。技术归口单位为全国有色金属标准化技术委员会。

1.2修订目的和意义

半导体是当今信息技术产业高速发展的基础和原动力，已经高度渗透与融合到经济和社会发展的各个领域，其技术水平和发展规模已经成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。在国内宏观经济运行良好的驱动下，国内集成电路产业继续保持快速、平稳增长态势，2021年我国集成电路产业首次突破万亿元。半导体行业协会统计，2021年我国集成电路产业销售额为10458.3亿元，同比增长18.2%。受益于全球疫情的逐步可控，移动通信终端、PC、汽车等众多应用领域需求持续走强，预计未来几年市场规模将进一步增长。然而，国产集成电路在全球市场占比较低，直至2019年才突破10%；国产集成电路在国内的市场占比也仅有30%，自给率严重不足。2021年中国集成电路产品进出口都保持较高增速。根据海关统计，2021年中国进口集成电路6354.8亿块，同比增长16.9%；进口金额4325.5亿美元，同比增长23.6%。2021年中国集成电路出口3107亿块，同比增长19.6%，出口金额1537.9亿美元，同比增长32%。我国集成电路自身的技术落后于国外至少2代，同时集成电路产能缺口巨大、自给率低，已成为制约我国国民经济发展的“卡脖子”领域，因此芯片国产化的需求越来越迫切。

目前全球半导体制造向着45nm及以下制程发展的趋势已不可阻挡，集成电路行业领军企业三星电子（Samsung）已经实现7nm工艺量产，全球最大的芯片代工企业台积电（TSMC）主流技术也已进入7nm工艺，正在进行5~3nm工艺的研制。大陆企业中芯国际从2012年开始量产逻辑用40nm工艺芯片，2015年开始量产28nm工艺，2019年试生产14nm工艺芯片，由此宣告正式进入AI芯片制造领域。IC芯片电路的金属线宽越来越小，互联线层数越来越多，2020年实现14nm实现量产。长江存储在2018年宣布，32层

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3DNAND闪存芯片实现量产；2019年9月份，基于Xtacking架构的64层256GbTLC3DNAND闪存正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，2020年128层3DNAND闪存正式量产。

现行的高纯铜铸锭标准为2013年发布的《YS/T919-2013高纯铜铸锭》，起草单位为有研亿金新材料有限公司。标准对高纯铜铸锭进行了分类，主要包括4N5、5N、6N、6N5四类高纯铜铸锭，并对每一类的高纯铜铸锭的杂质元素含量进行了规定。受限于当时的高纯铜提纯技术，市场上没有成熟批量化生产的7N高纯铜铸锭，因此原标准未对7N高纯铜铸锭纳入分类并进行杂质元素规定。近些年，随着阴极铜提纯技术以及真空熔炼铸造技术的进步，7N高纯铜铸锭以及可以批量生产和应用，从而满足下游集成电路制造企业对于超高纯铜靶材的需求。下图为有研亿金新材料有限公司生产的7N高纯铜铸锭的检测报告。同时，鉴于集成电路制造技术的不断发展和进步，对于8~12英寸的生产线，高纯铜铸锭的纯度需要达到99.999%（5N）以上，4N5高纯铜铸锭逐渐被市场淘汰，市场需求量小，因此在修订稿中将4N5牌号的高纯铜铸锭及其化学成分要求删除。标准修订稿建议对高纯铜铸锭进行分类，主要包括5N、6N、6N5、7N四类高纯铜铸锭，并对每一类的高纯铜铸锭的杂质元素含量进行了规定，从而整体上提升高纯铜铸锭产品的质量要求。

综上所述，为满足集成电路产业对高纯铜金属更高纯度、更高品质的需求，进一步提升高纯铜铸锭的产品规范，本项目修订现有YS/T919-2013《高纯铜铸锭》标准。

1.3工作单位简介

有研亿金新材料有限公司是央企中国有研的下属公司，拥有集成电路关键材料国家工程研究中心、国家技术创新示范企业、北京市高纯金属溅射靶材工程技术研究中心、国家