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IC生产流程简介

你想知道精密的IC芯片是如何从粗糙的硅矿石中诞生的吗？本节将为您揭开IC制造的神秘面纱。

你知道吗？制造一块IC芯片通常需要400到500道工序。但是概括起来说，它一般分为两大部分：前道工序（front-endproduction）和后道工序（back-endproduction）。

左图为：典型的三阱结构三阱工艺中浅沟道隔离技术

前道工序

该过程涉及：

将粗糙的硅矿石转变成高纯度的单晶硅。

在wafer上制造各种IC元件。

测试wafer上的IC芯片

后道工序

该过程涉及：

对wafer划片（进行切割）

对IC芯片进行封装和测试

在制造过程中有数道测试环节。其中，在前道工序中对IC进行的测试，我们把它叫做wafer测试。在后道工序过程中对封装后的IC芯片进行的测试，我们称之为封装测试。在有些情况下，wafer测试也被放在后道工序中，但在本文里，我们把wafer测试归为前道测试。

工序流程示意图

1.硅棒的拉伸

将多晶硅熔解在石英炉中，然后依靠一根石英棒慢慢的拉出纯净的单晶硅棒。

2.切割单晶硅棒

用金刚石刀把单晶硅棒切成一定的厚度形成WAFER。

3.抛光WAFER

WAFER的表面被抛光成镜面。

4.氧化WAFER表面

WAFER放在900度——1100度的氧化炉中，并通入纯净的氧气，在WAFER表面形成氧化硅。

5.覆上光刻胶

通过旋转离心力，均匀地在WAFER表面覆上一层光刻胶。

6.在WAFER表面形成图案

通过光学掩模板和曝光技术在WAFER表面形成图案。

7.蚀刻

使用蚀刻来移除相应的氧化层。

8.氧化、扩散、CVD和注入离子

对WAFER注入离子（磷、硼），然后进行高温扩散，形成各种集成器件。

9.磨平（CMP）

将WAFER表面磨平。

我们的测试设备涉及如下：

美国Credence公司ElectraMSR100MHz

100MHz量测速率的功能验证性设备，具有FuntionalPattern产生、仿?真、测试，DC参数量测等功能。

?非常适合IC设计公司进行样片芯片验证性测试及分析?

10.形成电极

把铝注入WAFER表面的相应位置，形成电极。

11．WAFER测试

对WAFER进行测试，把不合格的芯片标记出来。

日本VTT公司V777大规模集成电路逻辑测试系统

10MHz的测试频率，128个测试通道，

4M字节向量深度的大规模LSI测试系统

适合于大批量器件的测试

后道工序

12.切割WAFER

把芯片从WAFER上切割下来。

13.固定芯片

把芯片安顿在特定的FRAME上

14.连接管脚

用25微米的纯金线将芯片和FRAME上的引脚连接起来。

15.封装

用陶瓷或树脂对芯片进行封装。

16．修正和定型（分离和铸型）

把芯片和FRAME导线分离，使芯片外部的导线形成一定的形状。

17．老化（温度电压）测试

在提高环境温度和芯片工作电压的情况下模拟芯片的老化过程，以去除发生初期故障的产品

18．成品检测及可靠性测试

进行电气特性检测以去除不合格的芯片

成品检测：

电气特性检测及外观检查

可靠性检测：

实际工作环境中的测试、长期工作的寿命测试

19．标记

在芯片上用激光打上产品名。