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通过霍尔效应测量磁场
试验简介
在磁场中的载流导体上消灭横向电势差的现象是24岁的争论生霍尔〔EdwinH.Hall〕在1879年觉察的，现在称之为霍尔效应。随着半导体物理学的迅猛进展，霍尔系数和电导率的测量已经成为争论半导体材料的主要方法之一。通过试验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以推断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。假设能测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。
在霍尔效应觉察约100年后，德国物理学家克利青(KlausvonKlitzing)等争论半导体在极低温度和强磁场中觉察了量子霍尔效应，
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