GB/T 40109-2021表面化学分析　二次离子质谱　硅中硼深度剖析方法.pdf

ICS71.040.40

CCSG04GB

中华人民共和国国家标准

GB/T40109-2021/ISO17560:2014

表面化学分析二次离子质谱

硅中棚深度剖析方法

Surfacechemicalanalysis-Secondary-ionmassspectrometry-

Methodfordepthprofilingofboroninsilicon

(ISO17560:2014,IDT)

2021-05-21发布2021-12-01实施

国家市场监督管理总局串士

国家标准化管理委员会~llJ

GB/T40109-2021/ISO17560:2014

目次

前言…………ill

引言……·凹

1范固－

2规植性引用文件·

3符号和缩略语………………·…1

4原理………………………2

5参考物质…………………2

5.1用于校准相对灵敏度因子的参考物质………2

5.2用于校准深度的参考物质…………2

6仪器………….2

6.1二次离子质谱仪…………2

6.2触针式轮廓仪………………………2

6.3光学干涉仪...……..…….2

7样品………………………2

8步骤………………………2

8.1二次离子质谱仪的调整……………….2

8.2优化二次离子质谱仪的设定………….3

8.3进样…………………3

8.4检测离子…3

8.5样品检测……………3

8.6校准…………………4

9结果表述………………5

10测试报告…………………5

附录A（资料性）针式表面轮廓仪测试统计报告……….6

参考文献……………….8

I

GB/T40109-2021/ISO17560:2014

目IJ~

本文件按照GB/T1.12020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件使用翻译法等同采用ISO17560:2014《表面化学分析二次离子质谱硅中棚深度剖析方

法》。

与本文件中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下：

一－GB/T20176-2006表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中珊的原子浓

度(ISO14237:20