碳化硅单晶衬底，全球前11强生产商排名及市场份额（by QYResearch）.pdf

全球市场研究报告

碳化硅单晶衬底全球市场总体规模

据QYResearch调研团队最新报告“全球碳化硅单晶衬底市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球碳

化硅单晶衬底市场规模将达到24亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为14.6%。

图.碳化硅单晶衬底，全球市场总体规模

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅单晶衬底市场研究报告2024-2030”.

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图.全球碳化硅单晶衬底市场前11强生产商排名及市场占有率（基于2023年调研数据；目前最新数据

以本公司最新调研数据为准）

如上图表/数据，摘自QYResearch报告“全球碳化硅单晶衬底市场研究报告2024-2030”，排名基于2023数据。目前最新数据，以本公司

最新调研数据为准。

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内碳化硅单晶衬底生产商主要包括Wolfspeed、

Coherent、SICC、TankeBlueSemiconductor、ROHMGroup(SiCrystal)、Resonac、SKSiltron、HebeiSynlight

Crystal、STMicroelectronics、CETC等。2022年，全球前十强厂商占有大约96.0%的市场份额。

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图.碳化硅单晶衬底，全球市场规模，按产品类型细分

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅单晶衬底市场研究报告2024-2030”.

就产品类型而言，目前4寸是最主要的细分产品，占据大约51.3%的份额。

图.碳化硅单晶衬底，全球市场规模，按应用细分

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅单晶衬底市场研究报告2024-2030”.

就产品应用而言，目前电力设备是最主要的需求来源，占据大约69.9%的份额。

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图.全球碳化硅单晶衬底规模，主要消费地区份额（按销售额）

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅单晶衬底市场研究报告2024-2030”.

主要驱动因素:

D1：碳化硅功率器件的主要驱动因素是认识到化合物半导体为电动汽车提供了引人注目的价值主张

D2：基于GaN-碳化硅的5G系统的需求

主要阻碍因素:

C1：风险高作为碳化硅产业链的核心环节，碳化硅衬底制造难度大，产能扩张需要大量资金和相应的技术

支持。如果资金投入或技术研发进展不如预期，可能会给衬底产能扩张带来严重的负面影响。

C2：作为碳化硅功率器件最大的下游应用领域之一，如果新能源汽车需求不如预期，将对碳化硅器件的需

求产生较大影响。

行业发展机遇:

成本效益是决定SiC器件大规模使用的关键，而衬底制备是碳化硅成本效益提升的核心。碳化硅器件成本占

比中：衬底、外延、器件占比分别为46%、23%、20%。衬底是碳化硅成本降低的核心，也是技术壁垒最

高的部分，是未来SiC成本降低和大规模产业化的核心关键。

电子是主要应用领域，这一市场增长的主要驱动力来自于SiC器件在电源和逆变器应用领域的不断增加。

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目前特斯拉仅在主逆变器上采用SiC功率器件，未来新能源汽车市场还有进一步应用提升的空间。

碳化硅器件工艺要求非常高，其中高稳定性晶体生长工艺技术是其核心，该技术原本只有美国等少数发达

国家掌握，全球仅有少数公司能够实现商业化量产，如今已有公司实现了大尺寸6英寸碳化硅晶圆和外延

片的开发。目前的研究重点是8英寸碳化硅晶片和外延片的开发。

目前，碳化硅晶片生产的两大关键技术是晶体生长和晶片切割抛光，这两项技术决定了碳化硅晶片的合格

率，目前全球碳化硅晶片最高合格率为70%-80%。

本文作者

张雄–本文主要分析师

Email:zhangxiong@

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