半导体器件 第5-11部分：光电子器件 发光二极管 辐射和非辐射电流的测试方法-最新国标.pdfVIP

半导体器件第5-11部分：光电子器件

发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法

1范围

本文件规定了辐射电流和非辐射电流的测试方法，适用于单个发光二极管（）芯片或不含荧光

LED

粉的封装器件。本文件不适用于白光照明用。本文件采用内量子效率作为电流的函数，其测量

LED(IQE)

方法在其它文件中论述。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

IEC60747-5-6:2016半导体器件第5-6部分：光电子器件发光二极管（Semiconductor

devices–Part5-6:Optoelectronicdevices–Lightemittingdiodes）

3术语、定义和缩略语

3.1术语和定义

3.1.1

内量子效率internalquantumefficiency

IQE

单位时间内有源区产生的光子数与有源区所注入的电子数之比。

�

�,푎푐푡�

ℎ

IQE=

��

F

其中：

�—有源区产生的辐射功率

e,active

ℎ—平均光子能量

�F—正向电流

�—电量（元电荷）

[来源：IEC60747-5-8:2019，3.2.4]

3.1.2

辐射电流radiativecurrent

�rad

在LED辐射复合过程中消耗的电流。

3.1.3

非辐射电流nonradiativecurrent

�nonrad

在LED非辐射过程中消耗的电流。

注1：LED的非辐射过程包括有源区的非辐射复合和有源区外的载流子泄露；

注2：提供给LED的总正向电流可分解为辐射电流和非辐射电流。

�=�+�

Fradnonrad

利用辐射电流和非辐射电流，IQE可以重新表示为：

�rad�푟푎

�IQE==

�F�rad+�nonrad

利用上述关系，辐射电流和非辐射电流可以表示为：

�rad=��F

IQE

�=�−�=（1−�）�

nonradFradIQEF

LED在辐射过程中消耗的电功率（P