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纳米加工平台工艺申请表（8月版）
批号:
申请人
申请人电话
申请人邮箱
申请人签字
付费人
课题编号
付费人邮箱
付费人签字
申请日期
所属单位
试验目标及说明
样品材料
样品尺寸
样品数量和编号
序号
工艺名称
工艺要求及说明
日期
工艺统计和检测结果
工艺员
计价和确定
备注
清洗
样品数量：2片；
需清洗材料：氮化铝，尺寸：4英寸；
预去除污染物：
清洗液：
使用设备：八槽清洗机/超声清洗机/手动容器
废液处理方法：
设备类型：
开始时间：
完成时间：
废液处理方法：
检测结果：
本步工艺程序确定：
合格（签字）：
不合格（签字）：
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
匀胶
KS-L150
ST22＋
KW-4A
加工数量：3片；
衬底：材料：硅片，尺寸：4英寸、6英寸；
光刻胶类型：AZ1500；厚度：1.2±0.4微米
HDMS预处理：需要；
使用匀胶机类型：SSE、国产小匀胶机、Track
匀胶机类型：
开始时间：
完成时间：
衬底尺寸：
匀胶次数：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
光刻
MA6/BA6
URE-/35
加工数量：3片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；
光刻最小线宽：2微米；
套刻要求：正反面对准，对准精度：±5微米；
使用光刻机类型：SussMA6/BA6,国产光刻机
光刻机类型：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
步进式光刻机
NSR1755i7B
加工数量：3片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：EPL/1-1.6微米；
光刻最小线宽：2微米；
套刻精度：±1微米；
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
电子束光刻
JBX-5500ZA
加工数量：1片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；
光刻最小线宽：30nm；
套刻要求：套刻误差小于40nm；
拼接要求：误差小于40nm
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
显影
OPTIspinST22
加工数量：3片；
衬底：材料：硅片，尺寸：4英寸；
显影液类型：标配TMAH；
使用显影机类型：SSE,Track
显影机类型：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
干法去胶
M4L
加工数量：3片；批次：1批
材料：硅片，尺寸：4英寸或碎片；
需去除光刻胶类型：AZ1500
需去除胶厚：50nm；
去胶功率：300W
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
喷胶
ST20i
加工数量：3片；
衬底材料：硅片，尺寸：4英寸；
光刻胶类型：AZ4620；目标胶厚：30微米
图形深宽比：1：2
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
晶片键合
CB6L
加工数量：3对；
材料：硅片和玻璃尺寸：4英寸；
键合类型：阳极键合；
是否需要套刻：是（套刻精度：5微米）
键合对数：单次键适用时：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
磁控溅射
LAB18
加工数量：3片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：2英寸
膜层材料/厚度：
Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求：±5%
衬底加热温度：200℃
工艺气体：Ar或N2
溅射批数：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
溅射各层材料/厚度：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：
工艺申请人确定：
电子束蒸发
ei-5z
EBE-09
加工数量：3片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：6英寸
膜层材料和厚度：
Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求：±5%
衬底温度：200℃
蒸发台类型：ei-5z,EBE-09
使用蒸发台：蒸镀批数：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
蒸镀各层材料/厚度：
检测结果：
本
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