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ICS29.120.50
K31
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT13539.42016IEC60269-42012
代替/—
GBT13539.42009
低压熔断器
:
第部分半导体设备保护用熔断体
4
的补充要求
—
Low-voltaefuses
g
:
Part4Sulementarreuirementsforfuse-linksfortherotectionof
ppyqp
semiconductordevices
(:,)
IEC60269-42012IDT
2016-04-25发布2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—/:
GBT13539.42016IEC60269-42012
目次
前言…………………………Ⅰ
1总则………………………1
2术语和定义………………2
3正常工作条件……………2
4分类………………………4
5熔断器特性………………4
6标志………………………7
7设计的标准条件…………………………8
8试验………………………8
()……………
附录资料性附录熔断体和半导体设备的配合导则
AA18
()()
附录规范性附录制造厂应在产品使用说明书样本中列出的半导体设备保护用熔断体
BB
的资料…………………
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