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《金属学》精品资料

1点缺陷：空位，间隙原子，杂质原子

效果：=1\*GB3①提高材料的电阻=2\*GB3②加快原子的扩散迁移=3\*GB3③形成其他晶体缺陷=4\*GB3④改变材料的力学性能

线缺陷：刃型位错，螺型位错，混合位错

面缺陷：小角度晶界，大角度晶界，晶界面

2刃型位错和螺型位错的区别

刃型位错

螺型位错

多余半原子面

有

无

滑移面

唯一

不唯一

柏氏矢量与位错线

垂直

平行

滑移，攀移

均可

只能滑移

交滑移

不可以

可以

3滑移和攀移的区别

滑移

攀移

位错类型

刃型位错和螺型位错

刃型位错

保守运动（体积不变）

是

否

驱动力

切应力

正应力

空位扩散

无

有

4刃型位错应力场分布

5位错应变能E=KGb2

线张力与位错能在数值上相等T=KGb2

位错线的向心恢复力f

6点阵阻力，通过公式说明问题

派纳力

式中，b为柏氏矢量的模，G：切变模量，v：泊松比

W为位错宽度，W=a/1-v，a为滑移面间距

1）通过位错滑动而使晶体滑移，τp较小,设a≈b，v约为0.3，则τp为（10-3~10-4）G，仅为理想晶体的1/100~1/1000。

2）τp随a值的增大和b值的减小而下降。在晶体中，原子最密排面其面间距a为最大，原子最密排方向其b值为最小，可解释晶体滑移为什么多是沿着晶体中原子密度最大的面和原子密排方向进行。

3）τp随位错宽度减小而增大。强化金属途径：一是建立无位错状态，二是引入大量位错或其它障碍物，使其难以运动。

7位错在应力场中的受力（P25）

8位错间的交互作用：两个位错间的作用力实质上就是一个位错的弹性应力场对另一个位错所产生的作用力

9位错与溶质原子的交互作用：溶质原子是一种点缺陷，由于溶质原子与溶剂原子的体积不同，晶体中的溶质原子会使其周围晶体发生弹性畸变，而产生应力场。位错与溶质原子的交互作用会引起溶质原子向位错线集聚，位错线附近云集溶质原子，形成了溶质原子气团或溶质原子云。也称柯氏气团。

10位错的交割：割阶，扭折

11位错的增殖：位错的增殖机制：单轴双轴

双轴增殖过程：6步图上少一步

12位错的积塞：滑移面上的障碍物（晶界等）阻碍位错运动，使同一位错源发出的同号位错先后被障碍物阻塞，形成了位错塞积群。应变硬化的方式之一

13金属晶体中的位错：堆垛层错：抽出，插入

面心立方晶体中的位错：b=110特征位错

b=112肖克来半位错

b=111弗兰克半位错

14位错反应：两个条件：几何条件（对应值相等），能量条件（反应前位错能大于反应后位错能）

判定：先通过几何求位错再判定能量条件

15滑移时临界切应力：只有当外力在某一滑移系中的分切应力达到一定临界值时，该滑移系方可首先发生滑移，该分切应力称为滑移的临界分切应力

τc=σscosφcosλcosψcosλ称取向因子

当滑移面法线方向、滑移方向与外力轴三者共处一个平面，λ=φ=45o时，取向因子最大，cosφcosλ=1/2，此取向最有利于滑移，称此取向为软取向。处于软取向的滑移系首先发生滑移。当外力与滑移面平行或垂直时（φ=90o或φ=0o），则σs→∞，晶体无法滑移，称此取向为硬取向影响临界切应力的因素：金属的种类、化学成分、组织结构、变形温度、变形速度和预变形程度等

金属种类：原子间结合力↑，位错移动的点阵阻力↑，τc↑

化学成分：溶质原子产生固溶强化，位错运动受阻。不同溶质原子固溶强化效应不同：

=1\*GB3①质原子的原子数分数越大，强化作用越大；②溶质原子与基体金属原子尺寸相差越大，强化作用越大；③间隙型溶质原子比置换原子有更大固溶强化作用

变形温度：温度↑，τc↓，因为原子动能增大，原子间结合力减弱；但高温（熔点）时，温度↑，τc不变

变形速度：速度↑，τc↑，因为单位时间内必须使更多位错线移动，加工硬化率较快；对变形速度的依赖性极弱

变形方式、组织结构（加工和处理状态）等

16滑移的基本类型：

单滑移：外加切应力τc,开动一组滑移系；发生在滑移系较少或塑性变形开始阶段。特征：表面平行的滑移线所形成的滑移带;

多滑移：多个滑移系同时开动；加工硬化。特征：两组或多组交叉的滑移线；

交滑移：螺位错滑移受阻时，离开原滑移面沿另一晶面继续滑移，滑移方向和大小不变。变形温度越高，变形量越大，交滑移越显著。特征：折线或波纹状滑移线

17孪生：形成孪晶的过程：晶体在切应力的作用下,一部分沿一定的晶面和一定的晶向相对于另一部分发生的均匀切变；

这种切变未使晶体点阵类型发生改变，变为与未切变区晶体呈镜面对称的取向；

塑性变形的另一种重要方式，