先进半导体硅材料：优化纳米集成电路性能的重要基础.pdfVIP

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先进半导体硅材料●●

优化纳米集成电路性能的重要基础

北京有色金属研究总院屠海令

摘要：本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程，硅中金属杂质元素行为以及点

缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律，表面形态与表面质量控制等研究热点；介绍了绝缘体上硅

(SOI)、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势；展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光

子学领域的发展前景。

半导体工业的飞速发展是人类历史上的一个奇加工技术、检测方法也将成为今后研究的主要内容

迹。半导体产品不断更新，持续降价，推动着全球科和推动产业发展的关键。此外，硅基材料的研究与开

技进步，改变着人们的生活方式。而支持这一切的发日臻成熟，锗硅及绝缘体上硅(s0I)等硅基材料已

基础是半导体硅材料。在器件与电路的制备方面取得了引人注目的进展。

半导体硅作为现代电子工业的基础材料已有半

个世纪的历史，尽管集成电路密度遵循“摩尔定律”

不断提高，设计线宽急剧减小，硅材料总能适应器件

发展，满足其越来越苛刻的要求。2005年世界半导

体硅材料产量和销售收入已分别达到66．45亿平方

英寸和79亿美元(见表1)。可以预料，半导体材料

将为信息产业在2l世纪持续发展奠定更加坚实的

基础(见图1)。

表1世界半导体硅材料产量和销售额

图12020年世界半导体市场预测

20022oo32oo42005

销售额(亿美元)55587379

产最(亿方英寸)46．8151．4962．6366．45

其Il1：抛光片35，2138．2146．5749．76

外延”9．4311．1113．6314．441．大直径硅单晶生长的传热与传质

非抛光‘2．172．262．422．25

当前对于微／纳米集成电路所需的200mmf8进入超大规模集成电路时代以来，大直径硅单

英寸)、300mm(12英寸)乃至更大直径的450mm硅晶一直是热门的研发课题，图2所示为晶体生长中lJ【

片来说，其晶体生长工艺、金属污染和缺陷控制、表传质、传热及缺陷形成的过程。目前国际上主流工业

面形态与质量等都面临着新的挑战。硅材料的标准、产品仍为直径200mm硅片。2004年300mm硅片已

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L一设备材料恶

经占总消耗量的10％以上，我国也于1997年拉制

出300mm硅单晶。SEMI虽已制定了直径300mm硅

片的标准，但生长300mm或更大直径的硅单晶仍面

临诸多问题：坩埚中热对流随熔体量增大愈加强烈，

Gr迅速增大，导致湍流出现，会影响大直径单晶的

完整性和均匀性；传统的细颈不能支撑几百公斤重

的晶棒，同时细颈部位温度增高，缩颈过程易产生位

错，并迅速延伸；点缺陷影响明显，消除氧化层错更

加困难；每次拉晶成本大大增加，这意味着必须加强

计算机模拟工作，减少实验次数。Dupret等人嘲和

Seidl等人I3J报告了生长大直径单晶熔体动力学数学

模型，Chandrasekhar等人报告了以新的缩颈技术

生长300mm无位错硅单晶。为进一步降低直径大于

300ram硅单晶的成本，屠海令等人6[1针对大直径硅

单晶生长过程熔体热对流强烈的问题和集成电路新

的技术要求，提出优化24—28一热场与快速拉晶相

结合的技术路线，提高了径向温度均匀性，抑制了坩

埚中熔体热对流；同时通过调整纵向固液交界温度

梯度与拉晶速率之比，较好地控制了微缺陷的尺度图2大直径硅单晶生长中传质、