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第一章测试
1
【判断题】(10分)
集成电路，又简写为IC，其英文全称为IntegratedCircuit。
A.
对
B.
错
2
【判断题】(10分)
跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。
A.
对
B.
错
3
【判断题】(10分)
模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来
分析仿真结果
A.
错
B.
对
4
【判断题】(10分)
模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷
A.
对
B.
错
5
【判断题】(10分)
CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。
A.
对
B.
错
6
【判断题】(10分)
MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比较），现在几
GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。
A.
对
B.
错
7
【判断题】(10分)
相对于数字电路来说，模拟集成电路的设计更加基础，更加灵活。
A.
对
B.
错
8
【单选题】(10分)
片上系统，又称SOC，其英文全称是：
A.
SystemonChip
B.
SystemOperationsCenter
C.
Systemofcomputer
D.
Separationofconcerns
9
【单选题】(10分)
互补金属氧化物半导体，英文简称CMOS，其英文全称为：
A.
ComplementaryMetalOxideSystem
B.
CargoMachineOfSemiconductor
C.
ComplementaryMetalOxideSemiconductor
D.
ComplementaryMachineOfSemiconductor
10
【单选题】(10分)
模拟数字转换器,英文简称ADC,英文全称为：
A.
Analog-to-DestinationConverter
B.
AmbulancetoDigitalConverter
C.
AmbulancetoDestinationConverter
D.
Analog-to-DigitalConverter
第二章测试
1
【判断题】(10分)
MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。
A.
对
B.
错
2
【判断题】(10分)
如果一个电路的最高电压是，最低电压是，那么NMOS器
件的衬底应该接。
A.
错
B.
对
3
【判断题】(10分)
一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源
极和漏极。
A.
对
B.
错
4
【单选题】(10分)
下列关于MOS版图说法不正确的是（）
A.
栅极的接触孔应该开在沟道区外
B.
版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
C.
版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
D.
源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则
5
【单选题】(10分)
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）
A.
NMOS
当时，器件导通
B.
在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C.
若，则NMOS器件关断
D.
NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压
6
【多选题】(10分)
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
A.
NMO
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