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TFT-LCD工艺流程;清洁-沉积-光刻-刻蚀-剥膜;TFT薄膜的循环制程;1、沉积;多晶硅：采用低压化学气相淀积LPVCD，在低气压下于600摄氏度左右范围内分解硅烷淀积多晶硅。
二氧化硅：通过VCD的方式，采用硅烷和氧气在高温条件下，于衬底上生成氧化膜层。
金属：通常采用溅射方法。在真空中充入氩气，在强场作用下，气体放电产生的离子轰击靶材，使金属原子逸出并溅射到衬底上形成金属膜。;2、光刻;3、刻蚀;4、去胶;BlackMatrix-RGB;彩膜制程;CF基板结构;印刷配向膜-贴合上下基板;液晶盒的基本结构;成盒工艺流程;PI过程——配向处理;ODF过程;外围电路-组装背光源;COG制程
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