4.4.3 电子倍增CCD——EMCCD-教学课件.pdfVIP

4.4特殊CCD结构

4.4.3电子倍增CCD——EMCCD

电子倍增CCD——EMCCD

电子倍增CCD(EMCCD)技术

•电子倍增CCD(ElectronMultiplying

CCD)芯片的转移寄存器和输出放大

器之间具有一个特殊的增益寄存器。

EMCCD倍增原理示意图

电子倍增CCD(EMCCD)技术

•增益寄存器的结构和一般的CCD类似，

只是电子转移第二阶段的势阱被一对电

极取代，第一个电极上为固定值电压，

第二个电极按标准时钟频率加上一个高

电压(40V~50V)。

•通过两个电极之间高电压差形成对待转

移信号电子的冲击电离形成了新的电子。

电离效应倍增电子示意图

电子倍增CCD(EMCCD)技术

•尽管每次电离能够增加的新电子数目并不多，但通过多次电离，就

可将电子的数目大大提高。目前每次电离后电子的数目大约是原来

的1.015倍，如果通过591次倍增后，电子数目是原先的6630倍。

•由于大幅提高了输出信号的强度，使得CCD器件固有的读出噪声对

于系统的影响减小。

•EMCCD工作时通常需要采用半导体制冷，功耗较大，成本较高。

EMCCD与ICCD（GenII二代像增强器、GenIII三代像增强器）量子效率比较