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6.4红外焦平面探测器
红外焦平面探测器
◆焦平面的概念与基本结构
◆肖特基势垒探测器
◆量子阱与量子点探测器
◆倒装互连技术
6.4红外焦平面探测器
6.4.4倒装互连技术
倒装互连技术
倒装互连技术
两种铟接触:(a)In柱碰焊技术,(b)环孔技术
混合式背照明红外焦平面探测器的重要工艺
❖背照结构:要求镶嵌探测器有薄的光敏层,
在光敏层上吸收辐射,产生的光生载流子从
背面扩散到前面,被P-N结检测到信号。-
填充因子高,目前FPA大多基于这种结构。
混合式背照明红外焦平面探测器的重要工艺
❖背照结构:要求镶嵌探测器有薄的光敏层,
在光敏层上吸收辐射,产生的光生载流子从
背面扩散到前面,被P-N结检测到信号。-
填充因子高,目前FPA大多基于这种结构。
❖混合型红外焦平面探测器的主要工艺:
清洗→光敏元台面制备→Si基读出电路制备
→电极制备→In柱生长→倒装互连→衬底减
薄→封装测试。
❖QWIP器件典型工艺制作流程:
清洗→光耦合→光敏元台面制备→电极制备→In柱生长→倒装互连→衬底减薄
→封装测试。
倒装互连工艺对成像质量的影响
温度冲击后四角处铟柱形貌
倒装互连工艺对成像质量的影响
最初使用时像图多次使用后图像
❖倒装互连是混合式红外焦平面探测器制备过程中的关键,合适的
倒装互连结构是红外焦平面探测器响应均匀性和减少盲元出现的
重要保证;
❖特别在制冷型红外焦平面探测器中,使用过程中的反复温度冲击
可能会导致铟柱断裂而形成盲元和加大非均匀性。——此现象在
大规模阵列中尤其显著,也是大规模红外焦平面阵列必须攻克的
关键工艺之一。
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