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22第2章半导体二极管及常用二极管电路

第2章半导体二极管及常用二极管电路

本章目录

2.1PN结的形成及特性

2.2半导体二极管

2.3二极管的常用模型和分析方法

2.4稳压二极管

2.5常用二极管电路

2.6稳压管电路

本章将从半导体PN结的形成出发，介绍半导体二极管的工作原理、伏安特性、基本分析模型、主要

参数以及典型的二极管电路和分析方法。

学习完本章，应该能够

理解半导体器件中扩散与漂移的概念以及PN结形成的原理。

掌握半导体二极管的单向导电特性和非线性的伏安特性。

掌握二极管的开关模型和恒压源模型，以及动态下的小信号模型。

掌握二极管基本电路及其分析方法。

熟悉稳压管及其用法。

问题1：什么是半导体二极管？

我们在1.2节中曾经提到，杂质半导体的奇妙之处在于，采用不同的方式组合P型和N型半导体可以

得到很多非常有意思并且用途各异的半导体器件。本章要介绍的二极管就是其中之一。我们将看到这个最

简单的半导体器件内部的物理机制和外在的电压-电流（即伏安关系）特性，以及由于它的存在能使我们构

建怎样的功能电路。

问题2：一个简单的二极管电路

一个二极管电路如图2.0-1所示，现在我们利用PSpice（或在实验室构建真实的电路）给输入端加上

正弦信号，看一看，输出端会产生什么样的波形？如果我们用一个电阻替换掉二极管，输出端波形又是什

么样的？两种情况下的输出为什么会产生形状上的差别，问题的关键是什么？

R

++

vDv

i

o

--

图2.0-1简单二极管电路

第2章半导体二极管及常用二极管电路23

2.1.PN结的形成及特性

2.1.1.PN结的形成

我们在N型（P型）半导体的基片上，采用扩散工艺制造出一个P型（N型）区。由于在N型区，

多子是自由电子，少子是空穴；在P型区，多子是空穴，少子是自由电子。因而在交界面的两侧，多子和

少子浓度相差悬殊。所以N区中的电子将扩散到P区，N区留下施主杂质正离子；P区中的空穴将扩散到

N区，P区留下受主杂质负离子。当扩散的电子和空穴相遇，就产生复合而消失，从而在交界面两侧形成

一个由不能移动的正、负离子组成的空间电荷区（这也就破坏了P区和N区的电中性），正负电荷间形成

电场。由于这是内部载流子的扩散形成的，故称为内电场。

这个P区和N区之间的交界面附近的空间电荷层，就称为PN结。如图2.1-1所示。

PNP+N

-++

--++-

-++

-

--++-