直拉法生长的硅单晶中的杂质浓度受到许多因素的影响.pdfVIP

直拉法生长的硅单晶中的杂质浓度受到许多因素的影响。掺杂估算所考虑的

只是肩部下刚开始等径生长的硅单晶要达到的目标电阻率。在忽略了一些次要因

素后，可以对掺杂量进行大致的估算，作为试拉时的依据，然后可以再根据试拉

的结果进行修正。直拉法生长硅晶体时炉膛中的气氛有正压、减压氩气(也可用

氮气)和真空三种。在不同的气氛下，掺杂剂的蒸发情况不同。掺杂估算时必须

考虑它的影响。下面我们分别讨论不同气氛下的掺杂估算。(a)不考虑熔硅中的

杂质挥发时的掺杂估算生长用于集成电路和分立器件制造的大直径中、低阻晶

体时，普遍采用减压氩(氮)气气氛。除重掺杂外，在两种气氛下生长硅单晶时