不同晶型二氧化钛单晶薄膜的制备及其特性研究.docx

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2024-06-21 发布于天津
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不同晶型二氧化钛单晶薄膜的制备及其特性争论

第三代半导体材料即宽禁带半导体,与第一代和其次代半导体相比具有宽带隙、高击穿场强、高热导率等特点,可满足现代电子技术对高压、高温、大功率及强辐射等恶劣条件的要求。尤其在透亮光电子器件领域,宽禁带半导体由于具有优良的光学性能,在透亮薄膜晶体管、平面显示、紫外探测器、发光二极管、半导体激光器等领域有着极其广泛的应用前景。

凭借其优越的性能和巨大的市场前景,宽禁带半导体已成为全球半导体市场争夺的焦点。二氧化钛〔TiOsub2/sub〕是一种宽禁带透亮氧化物半导体,禁带宽度在3.0eV以上,具有物理化学性质稳定、安全无毒、储量多、本钱低等优点,近年来