天线原理与技术 课件 第4章 对称振子阵的阻抗.pptx

第4章对称振子阵的阻抗;

4.1二元耦合对称振子阵的阻抗;

则振子1的总辐射功率为

同理，振子2的总辐射功率为;

从耦合振子的自辐射功率、感应辐射功率和总辐射功率，可以得出它的自辐射阻抗(自阻抗)、感应辐射阻抗和辐射阻抗如下所示：;

4.1.2等效阻抗方程;

;

从等效阻抗方程可得到耦合对称振子的辐射阻抗为;

4.1.3对称振子阵的总辐射阻抗

若Z∑(1)为归算于振子1波腹电流的二元振子阵的总辐射阻抗，由振子阵总辐射功率等于各耦合振子的辐射功率之和可得

则;

同理，归算于振子2波腹电流的二元振子阵的总辐射阻抗为;

4.2求解阻抗的方法———感应电动势法;

;;;

4.3对称振子的互阻抗和自阻抗;

式中各参量的意义如图4.3.1所示。;

设对称振子电流如下：

由对称振子在p点的矢位可求出磁场强度及电场强度：;

4.3.2二平行等长对称振子的互阻抗

有了对称振子的近场表达式，原则上可导出相对位置任意和尺寸不等的二对称振子的互阻抗计算公式，但演算复杂。本节仅计算常用的二平行等长对称振子的互阻抗，两者的水平和垂直距离分别为d和h，如图4.3.2所示。;

;

在这种情况下，振子2在振子1上任一点p产生的切向电场为对称振子的近场Ez分量，且

又振子1电流;

图4.3.3所示为几种长度的二齐平排列等长对称振子的互阻抗随间距变化的曲线，图4.3.4所示为二元半波振子齐平排列、斜45°排列以及共轴排列时的互阻抗随间距变化的曲线。;;;

;;;

;

4.3.3对称振子的自阻抗

对称振子的自阻抗就是它位于自由空间时的辐射阻抗，是“吸收”其自辐射功率的阻抗。对称振子的自辐射功率是振子电流在自身电磁场作用下的感应辐射功率。设沿振子表

面的电流在其表面产生的电场与沿振子轴线的同一电流在振子表面产生的电场相同，故对称振子的表面切向电场仍可由式(4.3.8)来表示，但式中r1、r2和r0中的y=a，则有;

归算于对称振子波腹电流的辐射电阻为;

;

4.4无???振子的阻抗;

4.4.1二元耦合振子阵中的电流比

设二元耦合振子阵中振子2为接入可调电抗XLA的无源振子，如图4.4.1(a)所示。它从有源振子1的电磁场中吸收的功率(-P21)等于自辐射功率P22与负载XLA所消耗的功率之和，即振子2的辐射功率P∑2=0。故等效阻抗方程为

式中，XLm为归算于振子2波腹电流的负载阻抗。;

;

由于不管归算于哪个电流，负载电抗消耗的功率必须相等，在假设振子2的电流为正弦分布时，有

式中，l2为无源对称振子2的一臂长度。;

从式(4.4.1)的第二式，可得无源振子与有源振子的电流比为

式中已用Z12代替Z21。令

得;

有源振子的辐射阻抗为

无源振子的辐射阻抗为ZΣ2=0。;

从式(4.4.4)和式(4.4.5)可知，二振子的电流幅度比m和相位差β取决于无源振子的自阻抗(与l2/λ和a2/λ有关)、无源振子和有源振子间的互阻抗(与d/λ、l1/λ和l2/λ有关)，以及接入无源振子的调谐电抗。改变m和β，都会引起二元阵方向图的变化。因此，可以用改变无源振子尺寸、两振子间距和调谐电抗的办法，调整天线的方向图。图4.4.2表示二元阵在不同的无源振子阻抗相角arctanX22+XLm/R22条件下的H面方向图，图中单位圆是作参考的无方向性点源的方向图。;

;

对于短路无源振子(如图4.4.1(b)所示)，XLA=0，则;

4.4.2引向振子和反射振子的阻抗

实际上，二元阵多采用的是半波振子，间距d/λ=0.15~0.40。为使分析简化起见，由于二振子互阻抗随长度变化缓慢，在计算互阻抗时，设l1=l2=l=λ/4。分析时依据式(4.4.8)，式中：

第一项是常数π。

第二项是互阻抗相角β12=arctanX12/R12。在上述条件下，X120，R120(见图4.3.4(a))，故-π/2β120。;

第三项是短路无源振子自阻抗相角β22=arctanX22/R22，从图4.3.5和图2.2.2可见，在l2/λ=0.25附近，l2/λ由小变大，R22是逐渐增大的正值，X22则由绝对值很大的负值变为零，再变为很大的正值。因此，β22相应地由大于-π/2的负值变为0，再变为小于π/2的正值。

可以预计，在无源振子为某一长度2l2(准确值与a有关，且小于X22=0的长度2l0)时，β12-β22=0，β=π。

在l2l0时，0β12-β22π/2，πβ2π-πβ0，无源振子为引向振子。

在l2l0时，-πβ12-β220，0βπ，