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1+X集成电路理论复习题与答案

一、单选题（共40题，每题1分，共40分）

1、平移式分选机设备测试环节的流程是：()。

A、吸取、搬运芯片→入料梭转移芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片

B、入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片

C、入料梭转移芯片→搬运、吹放芯片→压测→记录测试结果→吸取、搬运芯片

D、搬运、吹放芯片→入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果

正确答案：B

答案解析：平移式分选机设备测试环节的流程是：入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片。

2、金属钨在集成电路中通常用于（）。

A、填充塞

B、金属连线

C、阻挡层

D、焊接层

正确答案：A

答案解析：金属钨在集成电路中通常用于钨填充塞。

3、双极型与单极型集成电路在性能上的主要差别是（）。

A、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性好、输入电阻大，而单极型器件正好相反

B、双极型器件工作频率高、功耗低、温度特性好、输入电阻小，而单极型器件正好相反

C、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性差、输入电阻小，而单极型器件正好相反

D、双极型器件工作频率低、功耗大、温度特性好、输入电阻小，而单极型器件正好相反

正确答案：C

4、芯片检测工艺过程中一般有拼零操作，下面对拼零描述正确的是（）。

A、一个内盒中最多有三个印章号

B、每次拼零时可以对多个产品进行操作

C、零头电路不需要进行检查

D、拼零时遵循“先入先出”的原则

正确答案：D

5、晶圆切割的作用是（）。

A、对晶圆边缘进行修正

B、将完整的晶圆分割成单独的晶粒

C、在完整的晶圆上划出切割道的痕迹，方便后续晶粒的分离

D、切除电气性能不良的晶粒

正确答案：B

答案解析：晶圆切割将整片晶圆切割成一颗颗独立的晶粒，用于后续集成电路的制造。

6、打开安装好的keil软件，点击工具栏“魔术棒”按钮，点击（）选项，选择目标芯片。

A、Target

B、C/C++

C、Debug

D、Device

正确答案：D

7、（）是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体等材料中，改变材料电学性质，达到形成半导体器件的目的。

A、光刻

B、掺杂

C、刻蚀

D、金属化

正确答案：B

答案解析：掺杂是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体等材料中，改变材料电学性质，达到形成半导体器件的目的。

8、关于全自动探针台扎针调试的步骤，下列说法正确的是：（）。

A、输入晶圆信息→调出检测MAP图→自动对焦→扎针调试

B、输入晶圆信息→自动对焦→调出检测MAP图→扎针调试

C、输入晶圆信息→自动对焦→扎针调试→调出检测MAP图

D、输入晶圆信息→调出检测MAP图→扎针调试→自动对焦

正确答案：B

答案解析：全自动探针台扎针调试步骤：输入晶圆信息→自动对焦→调出检测MAP图→扎针调试。

9、在外观检查中发现料管破损，应()。

A、继续使用

B、及时更换

C、对破损部位进行修补

D、视情况而定

正确答案：B

答案解析：料管破损时要进行料管更换，否则会丢失芯片。

10、模拟芯片常见参数测试输入失调电压，指在差分放大器或差分输入的运算放大器中，为了在输出端获得恒定的零电压输出，而需（）。

A、在两个输入端所加的交流电压之差

B、在两个输入端所加的直流电压之和

C、在两个输入端所加的直流电压之积

D、在两个输入端所加的直流电压之差

正确答案：D

11、使用重力式分选机进行模块电路的串行测试时，假设A，B轨道测试合格，C轨道测试不合格，芯片移动的路线是（）。

A、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D合格轨道→分选梭4→不良品料管；

B、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管；

C、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管

D、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管

正确答案：D

12、单晶硅锭切片后需要进行倒角，其目的是()。

A、确定定位面

B、产生精确的材料直径

C、去除硅锭两端的不符合直径要求的部分

D、去除硅片边缘锋利的棱角

正确答案：D

答案解析：定位面研磨时为了确定硅锭的定位面。径向研磨获得更精确的直径。切割分段是为了去除硅锭两端的不符合直径要求的部分。倒角是为了去除硅片边缘锋利的棱角使硅片边缘获得平滑的半径周线。

13、先进的平坦化技术有()。

A、反刻法

B、高温回流法

C、旋涂玻璃法

D、化学机械抛光法

正确答案：D

答案解析：反刻法、高温回流法、旋涂玻璃法属于传统平坦化技术,化学机械抛光法属于先进平坦化技术。

14、打点时，合格的墨点必须控制在管