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高级中学名校试卷
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天津市北辰区2023-2024学年高二下学期4月期中考试
——★参考答案★——
一、单选题(共48分,1—16题每题3分)
1-5BADBD6-10BACDC11-15CBACD16.A
二、填空题(52分,每空2分)
17.(14分)
(1)小1个孤电子对大于
(2)σ键;sp3
(3)平面三角形;
(4)H2O
18.(10分)
(1)干冰
(2)12
(3)4
(4)正四面体
(5)
若NA为阿伏加德罗常数的值,GaN晶胞边长是apm,晶胞中有4个Ga和4个N,则GaN晶体的密度为=。
(14分)
(1)CH2=CH2+Br2→CH2BrCH2Br;加成;
(2)nCH2=CH2
(3)C6H6;;
+Br2+HBr;取代
(4)sp2
20.(14分)(1)羟基、酯基(每空1分)
(2)新戊烷
(3)b
(4)2,5-二甲基-2,4-己二烯
(5)
(6)+3HNO3+3H2O
(7)4
天津市北辰区2023-2024学年高二下学期4月期中考试
——★参考答案★——
一、单选题(共48分,1—16题每题3分)
1-5BADBD6-10BACDC11-15CBACD16.A
二、填空题(52分,每空2分)
17.(14分)
(1)小1个孤电子对大于
(2)σ键;sp3
(3)平面三角形;
(4)H2O
18.(10分)
(1)干冰
(2)12
(3)4
(4)正四面体
(5)
若NA为阿伏加德罗常数的值,GaN晶胞边长是apm,晶胞中有4个Ga和4个N,则GaN晶体的密度为=。
(14分)
(1)CH2=CH2+Br2→CH2BrCH2Br;加成;
(2)nCH2=CH2
(3)C6H6;;
+Br2+HBr;取代
(4)sp2
20.(14分)(1)羟基、酯基(每空1分)
(2)新戊烷
(3)b
(4)2,5-二甲基-2,4-己二烯
(5)
(6)+3HNO3+3H2O
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