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GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展汇报人：2024-01-25

引言GaN功率器件概述片内微流热管理技术基本原理片内微流热管理技术在GaN功率器件中应用实验结果与分析结论与展望

引言01

随着电子设备的功率密度不断提高，传统的散热技术已无法满足高热流密度器件的散热需求，因此研究高效的热管理技术对于提高电子设备的性能和可靠性具有重要意义。片内微流热管理技术是一种新兴的热管理方式，通过在芯片内部构建微流道，利用流体的对流换热作用将热量从芯片内部带走，具有高效、紧凑、可集成等优点，为GaN功率器件的热管理提供了新的解决方案。GaN功率器件具有高效率、高频率、高功率密度等优点，但其高温工作特性和低热导率使得热管理问题成为制约其应用的瓶颈之一。研究背景与意义

目前，国内外学者已经对片内微流热管理技术进行了广泛的研究，包括微流道结构设计、流体工质选择、热仿真分析等方面。同时，一些商业化的GaN功率器件已经开始采用片内微流热管理技术，如英飞凌、意法半导体等公司推出的相关产品。国内外研究现状随着微纳加工技术的不断发展和应用需求的不断提高，片内微流热管理技术将朝着更高效率、更小体积、更低成本的方向发展。同时，随着人工智能、物联网等新兴技术的快速发展，GaN功率器件的应用领域将进一步拓展，对热管理技术的需求也将更加迫切。发展趋势国内外研究现状及发展趋势

研究目标本文旨在研究GaN功率器件片内微流热管理技术的关键问题，包括微流道结构设计、流体工质选择、热仿真分析等，为实际应用提供理论支撑和技术指导。研究方法本文将采用理论分析、数值模拟和实验验证相结合的方法进行研究。首先建立GaN功率器件的热模型，然后通过数值模拟分析不同微流道结构和流体工质对散热效果的影响，最后通过实验验证优化后的微流道结构和流体工质的散热性能。预期成果通过本文的研究，预期能够提出一种高效的GaN功率器件片内微流热管理技术方案，为实际应用提供可靠的散热解决方案。同时，本文的研究成果将为相关领域的研究提供有价值的参考和借鉴。本文主要研究内容

GaN功率器件概述02

GaN（氮化镓）具有宽禁带宽度，使其在高温、高电压和高频率环境下仍能保持稳定性能。宽禁带特性高电子饱和速度高热导率GaN材料中的电子饱和速度远高于传统硅材料，使得GaN器件具有更高的开关速度和更低的导通电阻。GaN具有较高的热导率，有助于散热并降低器件热阻，提高器件的可靠性。030201GaN材料特性及优势

HEMT结构GaN功率器件通常采用高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，利用二维电子气（2DEG）实现高电流密度和低导通电阻。工作原理在GaNHEMT中，通过在栅极施加电压控制2DEG的密度，从而控制漏极电流。当栅极电压大于阈值电压时，2DEG形成导电通道，器件导通；反之，器件截止。GaN功率器件结构和工作原理

GaN功率器件可用于高效、紧凑的电源转换系统，如数据中心、电动汽车和可再生能源等领域。电力电子领域GaN功率器件在5G和6G等无线通信系统中发挥重要作用，提供高效率、高功率密度的射频放大功能。无线通信领域GaN功率器件可用于高性能雷达和电子战系统，实现宽频带、高效率的信号放大和传输。雷达与电子战系统GaN功率器件应用领域

片内微流热管理技术基本原理03

微流控技术概述微流控技术定义微流控技术是一种在微米尺度上精确操控和调控流体的技术，具有高效、快速、低耗等优点。微流控芯片微流控芯片是微流控技术的核心，通过微细加工技术在芯片上构建微通道、微阀、微泵等结构，实现对流体的精确操控。微流控技术应用领域微流控技术已广泛应用于生物医学、化学分析、环境监测等领域，为相关领域的研究和应用提供了有力支持。

系统构成片内微流热管理系统主要由微流控芯片、温度传感器、控制器和执行器等组成。工作原理片内微流热管理系统通过温度传感器实时监测芯片温度，将温度信号传递给控制器。控制器根据预设的温度阈值和算法，控制执行器调节微流控芯片中的流体流动，从而实现对芯片温度的精确控制。关键技术片内微流热管理技术的实现需要解决微流控芯片设计、温度传感器集成、控制算法优化等关键技术问题。片内微流热管理系统构成及工作原理

微流控芯片设计技术设计高性能、低成本的微流控芯片是片内微流热管理技术的关键，需要解决微通道结构优化、材料选择等问题。将温度传感器与微流控芯片有效集成，实现温度的实时监测和精确控制，是片内微流热管理技术的重要挑战。优化控制算法，提高温度控制的精度和稳定性，是片内微流热管理技术的另一关键挑战。由于片内微流热管理系统涉及多个部件和复杂的控制过程，其可靠性问题也是一大挑战。需要采取有效的故障预测和容错机制，确保系统的长期稳定运行。温度传感器集成技术控制算法优化技术可靠性问题关键技术与挑战

片内微流热管理技术在GaN功率器件中应用04