半导体物理学(乙)B卷真题2023年.docx

2023年硕士学位争论生入学统一考试试题半导体物理学(乙)B卷

一、解释以下名词及概念

1．半导体中深能级杂质2．禁带宽度3．热载流子

4．空穴5．半导体的迁移率6．准费米能级7．欧姆接触

8．外表复合速度9．本征吸取10．p-n结势垒电容二、简答题

简述多能谷散射；

简述霍耳效应；

简述禁带变窄效应；

简述半导体的几何磁阻效应。三、

平面正六方晶格如下图，其矢量为：式中a为六角形两个平行对边间的距离。

求倒格子基矢；

证明倒格子原胞的面积等于正格子原胞面积的倒数；(不考虑(2π)2因子)

画出此晶格的第一布里渊区。

四、晶格常数为a的一维晶格，其导带微小值