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1、三种重要的微波器件：转移型电子晶体管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、MESFET.
2、晶锭获得均匀的掺杂分布：较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加高纯度多晶硅，维持熔融液初始掺杂浓度不变。
3、砷化镓单晶：p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑硅：p型掺杂材料是硼，n型是磷。
4、切割打算晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度〔晶片直径打算〕、晶面倾斜度
〔从晶片一端到另一端厚度差异〕、晶片弯曲度(晶片中心到晶片边缘的弯曲程度〕。
5、晶体缺陷：点缺陷〔替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，争论杂质集中和氧化工艺〕、线缺陷或位错(刃型位错和螺位错,金属易在线缺陷处析出〕、
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