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模集复习笔记
By潇然
.6.20
2.2I/V特性
1.I-V特性
2.跨导
定义：VGS對IDS的控制能力（IDS對VGS变化的敏捷度）
饱和区跨导gm体現式：
2.线性電阻体現式
2.3二级效应
1.体效应
γ為体效应系数，經典值0.3-0.4V-1/2
2.沟道長度调制效应
2.4MOS器件模型
定义：信号相對于偏置工作點而言比较小、不會明显影响偏置工作點時用该模型简化计算由gm、gmb、rO等构成低频小信号模型，高频時還需加上CGS等寄生電容、寄生電阻（接触孔電阻、导電层電阻等）
1.MOS小信号模型
①沟長调制效应引起的输出電阻
②体效应跨导
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