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单层SnS薄膜的能带结构和光吸收特性研究

摘要

自从石墨烯被发现以来，二维材料独特的电子结构和物理性质，使得人们对这类层状二维材料的研究产生了浓厚的兴趣。但是在石墨烯的电子结构中缺乏带隙，因此限制了其在半导体等领域的应用。

近年来，越来越多的新型二维材料相继被发现和制备出来，包括过渡金属硫化物、氮化硼、黑磷和硅烯等。其中，由Ⅳ族和Ⅵ族元素组成的单层SnS薄膜就是一种典型的二维材料，由于其组成元素在自然界分布广泛，因而其成本低廉且无毒无害，并且其电子结构中存在一定的带隙宽度，因此探寻这类新型二维半导体材料的物理性质及可能应用就很有意义。本论文以单层Sn