半导体物理实验——变温霍尔效应测试.docx

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2024-07-02 发布于天津
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变温霍尔效应测量半导体电学特性

霍尔效应的测量是争论半导体性质的重要试验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等根本参数。本试验通过对霍尔样品在弱场条件下进展变温霍尔系数和电导率的测量，来确定半导体材料的各种性质。

【试验目的】

了解半导体中霍尔效应的产生气制。

通过试验数据测量和处理，判别半导体的导电类型，计算室温下样品的霍尔系数、电导率、迁移率和载流子浓度。

把握变温条件下霍尔系数和电阻率的测量方法，了解两者随温度的变化规律。

【试验仪器】

本试验承受C