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半导体物理习题参考答案.docx

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    第4章半导体的导电性

    试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V?s和500cm2/V?s。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率比本征Si的电导率增大了多少倍？

    解：将室温下Si的本征载流子密度1.5?1010/cm3及题设电子和空穴的迁移率代入电导率公式

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    i i n

    ??)

    p

    即得：

    ? ?1.5?1010?1.6?10?19?(1350?500)?4.44?10?6s/cm；

    i

    室温硅的原子密度为5?1022/cm3，掺入1ppm

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