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试验指导书
院系: 机电工程学院专业: 微电子
课程: 半导体物理与器件编者: 孙玮
目 录
试验一四探针法测量半导体电阻率和方块电阻 1
试验二半导体非平衡少子寿命测试 10
1
试验一四探针法测量半导体电阻率
一、试验目的:
硅单晶的电阻率与半导体器件的性能有着格外亲热的关系,半导体电阻率的测量是半导体材料常规参数测量工程之一。测量电阻率的方法很多,如三探针法、电容—电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛承受的标准方法,在半导体工艺中最为常用,其主要优点在于设备简洁,操作便利,准确度高,对样品的几何尺寸无严格要求。四探针法除了用来测量半导体材料的电阻率以外,在半导体器件生
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