原创力文档- 1、本文档共12页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
AO4607
ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor
GeneralDescriptionFeatures
TheAO4607usesadvancedtrenchn-channelp-channel
technologyMOSFETstoprovideexcellenVDS(V)=30V-30V
RDS(ON)andlowgatecharge.TheID=6.9A(VGS=10V)-6A(VGS=1-0V)
complementaryMOSFETsmaybeusedRR
DS(ON)DS(ON)
ininverndotherapplications.A
28mΩ(VGS=10V)35mΩ(VGS=-10V)
Schottkydiodeisco-packagedwiththen-
channelFETtominimizebodydiode42mΩ(VGS=4.5V)58mΩ(VGS=-4.5V)
losses.AO4607isPb-(meetsROHS
Sony259specifications).AO4607LisSCHOTTKY
aGreenProductorderingoption.VDS(V)=30V,IF=3A,VF0.5V@1A
AO4607andAO4607Lareelectrically
identical.
DD
S2/A18D2/K
G227D2/KK
S136D1
G145D1
A
GG
SOIC-8S2S
n-channelp-channel
AbsoluteumRatingsT=25°Cunlessotherwisenoted
A
ParameterSymbolMaxn-channelMaxp-channelUnits
Drain-SourceVoltageVDS30-30V
Gate-Sou
文档评论（0）