保险丝过流保护、分立元器件搭建、集成芯片过流保护电路技术原理、设计与实现方式(附图).docx

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保险丝过流保护、分立元器件搭建、集成芯片

过流保护电路原理、设计与实现方式

〔附图〕〔电子工程师必会〕

1、保险丝过流保护元器件

如上图所示保险丝分类有很多种，依据应用可以具体状况具体选择。

保险丝是一种很常用的过流保护器件，尤其是正温度系数〔PTC〕自恢复保险丝在电路设计中应用更加广泛。其外形如以下图所示，

工作原理如下：

当过电流现象发生时，PTC自恢复保险丝快速反响，其自身组织增加，从而形成过电流保护。

当电流恢复正常，PTC自恢复保险丝会变回低阻值状态，不会对电路产生影响。

由于PTC自恢复保险丝可以自动复位，很多电路设计人员在可能会因用户造成的故障而导致过电流大事的状况中选

择PTC自恢复保险丝，PTC通常接于如下构造电路中进展过流保护。

2、分立元器件搭建的保护电路电路1：

原理上分析：

首先左侧CRTL-LOAD是单片机输出开启负载的掌握端。CRTL-LOAD输出高电平，Q2翻开，负载LOAD-IN接入。

负载正常的状况下电路不会有异样，但是当负载突然变

大(短路或者接错负载状况下)时，保护电路开头起作用。

下面分析一下过载保护局部的电路，即 Q1、R3、R4、R5组成局部。

Q1是常规的硅管，导通压降大致在 0.7V，上图中在不接任何负载的状况下，Q1的基极电位可以计算出：

VQ1b=(R3+R4)/(R3+R4+R5)*5 ≈0.314V；

由于当负载接入时，会在 R3上产生压降，从而推动 Q1基极电位增大，默认抱负状况下 0.7V时，三极管Q1会动作，由此理论上可以计算出接入多大负载电路会关断：

Ib=(0.7-VQ1b)/R3=0.386V/10=0.0386A=38.6mA ；

即理论上此电路最多可以接入 38.6mA的负载，超过38.6mA之后，由于负载增大，导致 Q1基极电位增大超过三极治理论开启电压0.7V导致Q1导通，从而拉低Q2基极，导致Q2关断，最终切断后面的大负载起到过流保护的作用。

器件选取需要留意：R3要留意其精度以及封装，依据需要的功耗选择适宜的封装，避开小封装对应大功耗导致器件

过热。Q2依据负载要求留有肯定余量。电路2：

这个电路可以改造变成一个过流保护电流，原理如下：

在电源输入端串一个采样电阻到PMOS的源极S，那么这个采样电阻就会有电压差，三极管的be并到这个电阻，当压差大于Vbe时，Vgs就0了，PMOS关闭，实现过流保护。

修改前电路：

修改后电路：

3、集成芯片过流保护电路

随着电路集成度不断的加深，越来越多功能模块被集成进芯片，过流保护芯片也被越来越多的应用到电路设计中。

过流保护芯片的原理主要分为两种： hiccup〔Constant-

Current〕和Latchoff：

hiccup：一种是以恒定电流存在，这种一般是可恢复的，当故障解除后自动恢复；

Latchoff：一种是锁定关闭，故障解除后也无法恢复，一旦保护后需要重启〔比方重置 VCC或其他的使能引脚〕；

如以下图为某限流芯片的内部功能框图，其主要工作原理如下：通过功能框图我们可以看出该芯片内部具有欠压保护功能及使能引脚EN，同时内部集成电流检测及宠保护功能。

使能及欠压保护功能：

当EN引脚使能且输入电压高于 UVLO门限电压时，芯片启动，内部功率mos管翻开，呈现低阻抗状态。当 EN引脚失能或者输入电压低于UVLO时，芯片关断，内部功率 mos呈现高阻状态。

电流设置功能：

RST引脚可以用来通过下拉电阻到地设置限流门限，一般限流的精度在不同的范围内会略有不同。限流公式手册中一般也会给出或者用表格的形式列举出来。

过流保护功能：

当输出电流超过设定的门限电流后，内部功率 mos管的导通电阻增大，输出电压 VOUT增大，从而限制输出电流连续增大，芯片此时进入恒流状态，假设负载连续加重，那么输

出电压VOUT会连续下降，输出电流也会下降，直到 VOUT降至接近0V，输出电流也会将至最低。

过宠保护功能：

在进入限流状态后，由于VOUT下降导致mos管两端压降增加，芯片内部结温上升，当超过过温保护门限时mos管被关闭，电流降至零，芯片温度下降至重复开启，如此循环。