GBT-半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验.pdf

ICS31.080.30

CCSL44

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62373-1：2020

`

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体

管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第

1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性

试验

Semiconductordevices–Bias-temperaturestabilitytestformetal-oxide,

semiconductor,field-effecttransistors(MOSFETs)–Part1:Fastbiastemperature

instabilitytestforMOSFETs

(IEC62373-1：2020，Semiconductordevices–Bias-temperaturestabilitytestfor

metal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET)–Part1:FastBTItest

forMOSFET，IDT)

（征求意见稿）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62373-1：2020

目次

前言II

引言III

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4试验设备4

设备4

处理要求4

5试验样品4

样品4

天线保护二极管5

样品数量6

6步骤6

测量时间的一般性说明6

测量参数的定义7

试验9

寿命评估11

附录A（资料性）BTI的恢复效应13

附录B（资料性）宽栅器件的选择14

参考文献16

I

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62373-1：2020

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件是GB/TXXXX《半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs）的偏置温度不稳定性

试验》的第1部分。GB/TXXXX已经发布了以下部分：

——金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验。

本文件等同采用IEC62373-1:2020《半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏

置温度不稳定性(BTI)试验第1部分：MOSFET的快速BTI试验》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。

本文件起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、北京智芯微电子科技有限公司、中国电子科技

集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、中国工程物理研究院流体物理研究所、龙腾

半导体股份有限公司、石家庄天林石无二电子有限公司、滁州华瑞微电子科技有限公司、江苏长晶科技

股份有限公司。

本文件主要起草人：肖庆中、高汭、来萍、李潮、章晓文、林晓玲、何玉娟、韦覃如、韦拢、鹿祥

宾、虞勇坚、杨振宝、王凌云、王嘉蓉、赵玉玲、胡兴正、刘建。

II