（正式版）-B-T 42837-2023 微波半导体集成电路 放大器.docxVIP

ICS31.200

CCSL56

中华人民共和国国家标准

GB/T42837—2023

微波半导体集成电路

放大器

Microwavesemiconductorintegratedcircuits—

Amplifier

2023-08-06发布

2023-12-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

I

GB/T42837—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。

本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳微步信息股份有限公司、杭州电子科技大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、广东省中绍宣标准化技术研究院有限公司、成都亚光电子股份有限公司、惠州市睿鼎电子科技有限公司、青岛金汇源电子有限

公司、中国电子科技集团公司第三十八研究所、中国航天科工集团第三十五研究所。

本文件主要起草人：周俊、霍玉柱、黄建新、邢浩、吴维丽、尹丽仪、杨晓瑜、朱镇忠、李德鹏、刘芳、

汪邦金、赵岩。

1

GB/T42837—2023

微波半导体集成电路

放大器

1范围

本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。

本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于

本文件。

GB/T4589.1半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检

GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST)

GB/T4937.11半导体器件机械和气候试验方法第11部分：快速温度变化双液槽法

GB/T4937.13半导体器件机械和气候试验方法第13部分：盐雾

GB/T4937.14半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固性)

GB/T4937.15半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热

GB/T4937.21半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性

GB/T4937.23半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命

GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试

人体模型(HBM)

GB/T4937.27半导体器件机械和气候试验方法第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM)

GB/T9178集成电路术语

GB/T12750半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路)

GB/T19403.1半导体器件集成电路第11部分：第1篇：半导体集成电路内部目检(不包

括混合电路)

GB/T20870.1—2007半导体器件第16-1部分：微波集成电路放大器

SJ/T10147集成电路防静电包装管

SJ/T11587—2016电子产品防静电包装技术要求

IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

IEC60749-8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封(Semiconductordevices—Me-

chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

IEC60749-9半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)

IEC60749