（正式版）-B-T 42835-2023 半导体集成电路 片上系统（SoC）.docxVIP

ICS31.200

CCSL56

中华人民共和国国家标准

GB/T42835—2023

半导体集成电路片上系统(SoC)

Semiconductorintegratedcircuits—Systemonchip(SoC)

2023-08-06发布

2023-12-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

I

GB/T42835—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。

本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有

限公司、杭州万高科技股份有限公司。

本文件主要起草人：罗晓羽、徐平江、钟明琛、赵扬、邵瑾、陈燕宁、朱松超、王于波、张海峰、梁路辉、

夏军虎、何杰。

1

GB/T42835—2023

半导体集成电路片上系统(SoC)

1范围

本文件规定了片上系统(SoC)的技术要求、电测试方法和检验规则。

本文件适用于片上系统(SoC)的设计、制造、采购、验收。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于

本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检

GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST)

GB/T4937.11半导体器件机械和气候试验方法第11部分：快速温度变化双液槽法

GB/T4937.13半导体器件机械和气候试验方法第13部分：盐雾

GB/T4937.14半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固性)

GB/T4937.15半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热

GB/T4937.21半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性

GB/T4937.23半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命

GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试人

体模型(HBM)

GB/T4937.27半导体器件机械和气候试验方法第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试机

器模型(MM)

GB/T9178集成电路术语

GB/T12750半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路)

GB/T17574—1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路

GB/T17626.2—2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验

GB/T17626.4—2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验

IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

IEC60749-8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封(Semiconductordevices—Me-

chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

IEC60749-9半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)

IEC60749-24半导体器件机械和气候试验方法第24部分：加速耐湿-无偏置强加速应力试验(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part24:Acceleratedmoi