半导体物理习题及解答-刘诺.docx

第一篇 习题 半导体中的电子状态

、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。

、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的缘由。

、试指出空穴的主要特征。

、简述Ge、Si和GaAS的能带构造的主要特征。

、某一维晶体的电子能带为

其中E=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：

0

能带宽度；

能带底和能带顶的有效质量。

第一篇 题解 半导体中的电子状态刘诺 编

、解：在肯定温度下，价带电子获得足够的能量〔≥E〕被激发到导带成为

g

导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中消灭成对的电子-空穴对。

假设温度上升，则禁带宽