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只是想多了解下工艺,由于自己不是学这个的,要补
课啊....
是不是可以这么理解:
PADoxide：SiO2在LOCOS和STI形成时都被用来当作nitride的衬垫层，假设没有这个SiO2衬垫层作为缓冲之用，LPCVDnitride的高张力会导致wafer产生裂缝甚至裂开，同时也作为NITRIDEETCH时的STOPLAYER
SACoxide：SacrificialOxide在gateoxidation之前移除wafer外表的损伤和缺陷，有助于产生一个零缺陷的wafer外表以生成高品质的gateoxide;经过HDP后
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