三极管的主要参数.docx

三极管的主要参数

1、共射电流放大系数和β

在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比就是，称为共射直流电流放大系数。

当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会

引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即

（5-6）

上述两个电流放大系数和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。

由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一般选用β在40～80之间的管子较为合适。

2、极间反向饱和电流I

CBO

和I

CEO

（1）集电结反向饱和电流I

CBO

是指发射极开路，集电结加反向电

压时测得的集电极电流。常温下，硅管的I

CBO

在nA（10-9）的量级，

通常可忽略。

（2）集电极-发射极反向电流I

CEO

是指基极开路时，集电极与发

射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。

3、极限参数

集电极最大允许电流I

CM

晶体管的集电极电流I

C

在相当大的范围内β 值基本保持不变，

但当I的数值大到一定程度时，电流放大系数β 值将下降。使β 明

C

显减少的I

C

即为I

。为了使三极管在放大电路中能正常工作，I不

CM C

应超过I。

CM

集电极最大允许功耗P

CM

晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所

消耗的功率就是集电极的功耗P，即

CM

P=IU （5-7）

CM C CE

功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。

手册上给出的P

CM

值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上

限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。

反向击穿电压U

BR（CEO）

反向击穿电压U

是指基极开路时，加在集电极与发射极之间

BR（CEO）

的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压U

CE

＞U ，集电极电

BR（CEO）

流I将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性

C

的损坏。三极管电路在电源E

C

的值选得过大时，有可能会出现，当管

子截止时，U

CE

＞U 导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，

BR（CEO）

三极管电路的电源电压E

C

应小于1/2U 。

BR（CEO）

4、温度对三极管参数的影响

几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。

对β 的影响：

三极管的β 随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β 值约增大

0.5～1％，其结果是在相同的I

B

而增大。

情况下，集电极电流I

C

随温度上升

对反向饱和电流I

CEO

的影响：

I

CEO

是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，I

C

随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，I

EO CEO

将增加一倍。由于硅

管的I

CEO

很小，所以，温度对硅管I

CEO

的影响不大。

对发射结电压u

be

的影响：

和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，u

be

将下降2～2.5mV。

综上所述，随着温度的上升，β 值将增大，i也将增大，u将下

C CE

降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。