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原子层沉积法制备氧化锌薄膜研究进展

摘要：ZnO做为第三代半导体材料，其禁带宽度大，到达3.4eV,可以广泛的应用于制造蓝绿

光和紫外光的光电器件。原子层沉积技术〔ALD〕是近些年开展起来的薄膜制备技术，由于

该技术制备的薄膜性能优异、厚度可控且保型性好，也越来越受到人们的关注。本文主要概

述原子层沉积法制备氧化锌薄膜的研究进展。

关键词：氧化锌，原子层沉积，薄膜，进展

1.引言

ZnO做为第三代半导体材料，由于其禁带宽度大，可以广泛的应用于制造蓝绿光和紫外

光的光电器件，同时还具有电子漂移饱和速度高、介电常数小等特点，因此，成为当下半导

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体材料的研究热点。外延生长氧化锌的方法有很多，例如金属化学气相沉积〔MOCVD〕，分

子束外延〔MBE〕，脉冲激光沉积〔PLD〕以与磁控溅射等。但是，用原子层沉积〔ALD〕，其

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厚度控制，层均匀性和扩展性相对其他方法都是更优越的。而且，外延的生长温度较大多

数方法来说也是比较低的，这使得可以应用许多低温生长环境中。

2.氧化锌的根本性质

ZnO是一种宽禁带半导体材料，在近紫外波段的直接带隙约为，并且它是一种廉价、透

明、无毒、可导电的氧化物，有着非常广泛的应用前景，在蓝紫外光电子学中，它可以替代

氮化镓。此外，ZnO还具有较大的激子结合能，因此能够有效的应用基于受激发射的激光3

器件中。ZnO属于六方晶系，主要存在形式为纤锌矿结构。在压强到达9GPa时，ZnO会从稳

定的纤锌矿相变为立方岩盐矿相。当压力消失时，ZnO那么会维持在亚稳态状态，立方闪锌

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矿结构也存在于亚稳态的结构中。氧化锌的不同晶体结构如图1所示。

图1不同ZnO晶体结构示意图〔a〕立方闪锌矿晶体结构〔b〕立方岩盐矿晶体结构〔c〕六

方纤锌矿晶体结构

Zn元素广泛存在于自然界中，因此ZnO基器件的本钱将极具优势；较强的抗福射损伤

能力可应用于空间材料；具有双生子吸收，和很高的损伤阈值，可应用于光能量限制的器件；

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失配度小，可作为GaN外延生长的理想衬底材料。具体物理性质如下表1所示。

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表1ZnO的根本物理参数

物理性质参数数值

分子量81.3899

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密度〔g/cm〕5.64

熔点〔℃〕1975

热电常数〔m.V/K〕1200(300K)

比热〔cal/g.m〕0.125

电导率〔Ω.cm〕10

热导率〔W/cm.K〕1.16±0.08(Zn面)

1.10±0.09〔O面〕

激子束缚能〔meV〕60

辐射阻抗〔MeV〕2

3.原子层沉积法

原子层沉积(atomiclayerdeposition，ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反

响器并在沉积基体上进展的化学吸附反响并形成沉积薄膜的一种手段。当前躯体到达沉积基

体外表，它们会在其外表化学吸附并