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半导体、光伏硅片、芯片、电池片的清洗工艺
半导体、光伏硅片、芯片、电池片的清洗工艺
硅片的化学清洗工艺原理一.
硅片的化学清洗工艺原理
硅片通过不同工序加工后，其外表已受到严峻沾污，一般讲硅片外表沾污大体可分在三
硅片通过不同工序加工后，其外表已受到严峻沾污，一般讲硅片外表沾污大体可分在三
类：
类：
A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来
A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来
去除。
去除。
B.
B.颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4μm
颗粒，运用兆声波可去除≥
颗粒，运用兆声波
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