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微机电系统课程试验之一
集成电路根本制造工艺试验
《微机电系统》课程组编写
电子科技机械电子工程学院
2023年3月
试验名称：集成电路根本制造技术工艺试验
一、试验目的
生疏集成电路根本制造工艺的一般步骤。
把握集成电路根本制造工艺各个步骤的要求。会计算方块电阻。
生疏温度掌握、溶液配比要求等根本工艺参数。
二、试验原理
集成电路根本制造工艺建立在一些已经成熟的工艺步骤根底上，为了了解其生产过程，下面我们就了解这些工艺步骤。根本的工艺步骤是：氧化层生长、热集中、光刻、离子注入、淀积〔蒸发〕和刻蚀等步骤。
〔一〕氧化
氧化是在硅片外表生长一层二氧化硅〔SO〕膜的过程。这层膜的
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