GBT-半导体器件 第5-11部分：光电子器件 发光二极管 辐射和非辐射电流的测试方法.pdf

ICS31.080.99

CCSL53

中华人民共和国国家标准

GB/T15651.11-XXXX—IECIEC60747-5-11:2019

`

半导体器件第5-11部分：光电子器件

发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法

SemiconductorDevices–Part5-11:Optoelectronicdevices–Lightemitting

diodes-Testmethodofradiativeandnonradiativecurrentsoflightemittingdiodes

，

(IEC60747-5-11:2019IDT)

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/T15651.11-XXXX—IECIEC60747-5-11:2019

目  次

前言II

引言III

1范围4

2规范性引用文件4

3术语、定义和缩略语4

3.1术语和定义4

3.2缩略语6

4测试方法6

4.1基本要求6

4.2辐射电流（�rad）测试6

4.3非辐射电流（�nonrad）测试6

4.4测试顺序7

5测试报告7

附录A8

附录B10

参考文献11

图1辐射电流和非辐射电流分量测试7

图A.1辐射电流和非辐射电流分量测试8

图A.2辐射电流、正向电压与正向电流的关系曲线9

图A.3非辐射电流、正向电压与正向电流的关系曲线9

图A.4总正向电流、辐射电流、非射电流与正向电压的关系曲线9

表A.1测试报告一览表9

I

GB/T15651.11-XXXX—IECIEC60747-5-11:2019

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件是GB/T15651半导体器件系列的第5-11部分，GB/T15651已出版了以下部分：

——半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件（GB/T15651-1995）

——半导体分立器件和集成电路第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性（GB/T15651.2-2003）

——半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法（GB/T15651.3-2003）

——半导体器件分立器件第5-4部分：光电子器件半导体激光器（GB/T15651.4-2017）

——半导体器件第5-6部分：光电子器件发光二极管（GB/T15651.6-2023）

本文件等同采用IEC60747-5-11:2019半导体器件第5-11部分：光电子器件发光二极管辐射和

非辐射电流的测试方法。

本文件做了下列编辑性修改：

a）“IEC60747的本部分”字样改为“本文件”；

b）删除了国际标准的前言，增加了本标准的前言；

c）术语和定义中，按国家标准形式给出引导语；

���

d）将条款3.3.1中辐射过程中消耗的电功率符号“non-rad”和“nonrad”统一改为“nonrad”；

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布