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AlN材料的研究现状与进展.pdf

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    AlN材料的研究现状与进展

    一：AlN颗粒和AlN电子基片的研究现状与进展

    -1-1

    理论上，AlN的热导率为320W·m•K，工业上实际制备的多晶氮化铝的热导

    －1－1

    率也可达100～150W·m·K，该数值是传统基片材料一氧化铝热导率的5～8

    倍。与其它陶瓷材料制备工艺相同，氮化铝陶瓷的制备包括粉体的合成、成形

    烧结3个工艺进程。氮化铝的导热性能受杂质含量和微观结构阻碍严峻，而杂质

    含量

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