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历年真题第一章
1、Si、GaAs半导体材料的导带底、价带顶分别在k空间什么位置？其晶体构造和解理面分别是什么？哪个是直接带隙，哪个是间接带隙？(2023)
2、对于金刚石构造的硅Si和闪锌矿构造的砷化镓GaAs，在〔111〕晶面上，其原子面密度和面间距都是最大，为什么Si的解理面是〔111〕，而GaAs不是？(2023)
3、半导体材料的禁带宽度Eg、N型半导体杂质激活能△Ed以及亲和势X分别表示半导体电子的什么状态特性？〔2023年简答题7分〕
4、与真空电子运动相比，半导体中电子的运动有何不同？〔2023年简答题7分〕
E2E01E0kx〔1-9题
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